光電子が飛び出した後の軌道にはホールができます。このような状態では、 原子は不安定になるので、それよりもエネルギー値が高い軌道から電子が移動し ます。このとき放出されたエネルギーの差を、他の軌道の電子が受け取り原子外 に飛び出します。
装置:オージェ電子分光分析装置 (AES:Auger Electron Spectroscopy) X線 :MgKα 試料:Te ( Si(100)に60[ML]蒸着、純度6N) Ag ( Agプレートに30[ML]蒸着、純度6N)
低速電子による回折像は表面の構造を反映しています。LEED像のスポットと スポットの並びからは、latice factorが判ります。I/V curve からは strcu- ture factor が判ります。この研究室では I/V curve を測定し、その解析の ために数値計算を行っています。
装置:LEED 試料:Si(100) clean (下図)